濺射氣壓對(duì)PI襯底CIGS薄膜太陽(yáng)電池Mo背電極的影響

2013-04-29 李志國(guó) 天津市光電子薄膜器件與技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室

　　柔性聚酰亞胺(PI)襯底Cu(In,Ga)Se2(簡(jiǎn)稱(chēng)CIGS 或銅銦鎵硒)薄膜太陽(yáng)電池具有高質(zhì)量功率比、適合卷對(duì)卷規(guī)模化生產(chǎn)和成本低等優(yōu)勢(shì)，其商業(yè)發(fā)展前景受到廣泛關(guān)注。Mo 薄膜作為CIGS 薄膜電池的背電極，其熱膨脹系數(shù)低于PI 襯底，因此研究與之匹配的Mo 薄膜非常重要。

　　本文采用直流磁控濺射方法在PI 上沉積Mo 背電極，研究不同濺射氣壓對(duì)Mo 薄膜電學(xué)特性、結(jié)構(gòu)特性及對(duì)CIGS 薄膜太陽(yáng)電池的影響。

　　結(jié)果表明，隨著濺射氣壓提高，PI襯底上Mo 薄膜的殘余應(yīng)力降低，表面裂紋明顯減少，但薄膜結(jié)晶質(zhì)量變差，電阻率明顯升高，附著力下降。結(jié)合Mo 背電極對(duì)附著力、殘余應(yīng)力和電學(xué)特性的要求，最終制備出了適合PI襯底CIGS 薄膜太陽(yáng)電池的Mo 背電極，電池器件性能明顯提高。